HBM4E(7세대) 시장 선점 치열한 기술 경쟁 시대 돌입
양사 모두 본격적인 주도권 다툼
2027년 본격적인 양산
안정적인 수율로 양산에 돌입이 관건
삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E(7세대) 시장 선점을 위해 치열한 기술 경쟁을 벌이고 있습니다. 2026년 6월 현재, 양사 모두 주요 고객사에 샘플 공급을 시작하며 본격적인 주도권 다툼에 돌입했습니다.
1. HBM4E 주요 기술 특징 및 사양
HBM4E는 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 환경에서 데이터 처리 효율을 극대화하기 위해 설계된 차세대 메모리입니다.
성능 향상: 핀당 최대 16Gbps의 전송 속도를 구현하여 이전 세대 대비 압도적인 대역폭을 제공합니다.
에너지 효율: HBM4 대비 전력 효율이 약 20% 개선되었습니다.
열 관리: 반도체 적층 시 발생하는 열 문제를 해결하기 위해 열 저항을 기존 대비 약 17% 낮춰, 고발열 환경에서도 안정적인 성능을 유지합니다.
용량: 12단 적층 기준으로 48GB의 대용량 구현이 가능합니다.
2. 업체별 현황 및 전략
현재 양사는 샘플 공급을 통해 기술 리더십을 증명하고 고객사 인증을 통과하기 위해 노력 중입니다.
3. 향후 시장 전망
HBM4E 시장은 2027년 본격적인 양산이 예상되며, 누가 먼저 고객사의 대규모 인증을 통과하고 안정적인 수율로 양산에 돌입하느냐가 핵심입니다. 전문가들은 HBM4에서 HBM4E로 이어지는 제품 전환이 가속화됨에 따라 양사의 매출 및 영업이익이 크게 증가할 것으로 내다보고 있습니다.
참고: HBM4E는 엔비디아의 차차세대 AI 플랫폼(루빈 울트라 등)에 적용될 가능성이 높으며, 메모리 설계와 파운드리, 패키징 기술이 통합된 차세대 AI 반도체 생태계의 핵심 부품이 될 전망입니다.
